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　　OLED的發光層(ceng)是一(yi)層(ceng)薄薄的膜，需(xu)要(yao)選(xuan)擇基板(ban)(ban)來作(zuo)為沉積(ji)的基底。最常用的是玻璃，由于發光層(ceng)產生的光透(tou)過基板(ban)(ban)發射(she)，這要(yao)求(qiu)基板(ban)(ban)具有(you)較高的透(tou)明性，這種(zhong)玻璃基板(ban)(ban)上(shang)需(xu)要(yao)先搭配(pei)電極，一(yi)般搭配(pei)陽極。

　　先來看看被(bei)動式的OLED的工藝流程

　　電極部分這樣圖案化

　　首先(xian)，對購(gou)買的(de)(de)(de)(de)(de)ITO基板進行電極(ji)的(de)(de)(de)(de)(de)圖案化(hua)，ITO作(zuo)為(wei)(wei)陽極(ji)嗎(ma)，與之后沉積的(de)(de)(de)(de)(de)陰(yin)極(ji)形成“圍棋盤”的(de)(de)(de)(de)(de)形狀，電壓施加(jia)在它們(men)的(de)(de)(de)(de)(de)交叉部分(fen)(fen)，這通過將(jiang)ITO薄膜不需(xu)要的(de)(de)(de)(de)(de)部分(fen)(fen)去除來(lai)實現(xian)，這樣(yang)的(de)(de)(de)(de)(de)過程稱為(wei)(wei)圖案化(hua)。看下圖：

　　形成ITO電極(ji)圖案，為了(le)在圖案化ITO的表面露出發(fa)光的部(bu)分，需(xu)(xu)要(yao)制備絕(jue)緣層，一般采用光刻膠(jiao)的高分子材料作為絕(jue)緣薄(bo)膜，最后(hou)，由于(yu)基(ji)板(ban)上可能會有殘(can)留的光刻膠(jiao)或(huo)者空氣中的灰塵、水(shui)汽因此需(xu)(xu)要(yao)對基(ji)板(ban)進行(xing)清洗處(chu)理。

　　首先，通(tong)(tong)過濕法清洗(xi)，最后通(tong)(tong)過干(gan)洗(xi)清洗(xi)。

　　干洗清(qing)洗是指(zhi)對ITO表面進行UV臭氧(yang)(yang)處(chu)理，或者氧(yang)(yang)離子處(chu)理，表面清(qing)理結束后，接著在ITO薄(bo)膜上沉積各種有(you)機(ji)功能薄(bo)膜。

　　什么是表面清(qing)洗(xi)？

　　表(biao)面(mian)清(qing)洗(xi)，字面(mian)上(shang)的意思就是(shi)(shi)簡單的清(qing)洗(xi)。清(qing)洗(xi)處理相(xiang)當花費時間(jian)，灰(hui)塵、濕氣(qi)是(shi)(shi)對器件最不利的影響因素。無論是(shi)(shi)半導體工(gong)(gong)藝還是(shi)(shi)OLED、LCD，清(qing)洗(xi)工(gong)(gong)藝都是(shi)(shi)非常重(zhong)要的。

　　小分子材料的真空蒸(zheng)鍍

　　在(zai)薄(bo)膜制備階段，采(cai)用(yong)小(xiao)分子或者高分子的(de)有機材(cai)料(liao)的(de)過程(cheng)是不一(yi)樣的(de)，小(xiao)分子材(cai)料(liao)器件(jian)采(cai)用(yong)多層(ceng)(ceng)構造，通過真空蒸鍍的(de)方法形成注入層(ceng)(ceng)/發光(guang)層(ceng)(ceng)等薄(bo)膜。而(er)高分子材(cai)料(liao)采(cai)用(yong)的(de)則是單層(ceng)(ceng)構造。

　　首先，在真空腔體的(de)基(ji)板(ban)(ban)座上把已經團花(hua)的(de)ITO基(ji)板(ban)(ban)放(fang)好，然后，把準備好的(de)小分子(zi)材(cai)料放(fang)入坩(gan)堝內開(kai)始抽真空，通過對(dui)坩(gan)堝高(gao)溫(wen)加(jia)熱，使材(cai)料開(kai)始汽化(hua)，并(bing)附著在放(fang)置好的(de)ITO基(ji)板(ban)(ban)表面。

　　各層薄膜的形成順序：

　　高分子材料的旋涂法成膜

　　利用(yong)(yong)高分(fen)子(zi)材(cai)料(liao)(liao)來制備OLED器件時，往往不(bu)(bu)是(shi)多層(ceng)(ceng)結(jie)(jie)構，一般(ban)采用(yong)(yong)單層(ceng)(ceng)結(jie)(jie)構或者是(shi)兩層(ceng)(ceng)結(jie)(jie)構，高分(fen)子(zi)的發(fa)光層(ceng)(ceng)沉積(ji)與小分(fen)子(zi)的多層(ceng)(ceng)膜(mo)的成(cheng)膜(mo)過程不(bu)(bu)同(tong)，由于只要(yao)制作一層(ceng)(ceng)高分(fen)子(zi)膜(mo)，所(suo)以工藝上會便利不(bu)(bu)少(shao)，高分(fen)子(zi)材(cai)料(liao)(liao)成(cheng)膜(mo)的時候(hou)，在ITO上面迅速滴落發(fa)光層(ceng)(ceng)，不(bu)(bu)需要(yao)真(zhen)空(kong)和高溫，這(zhe)樣形成(cheng)的液膜(mo)干燥(zao)后通(tong)過掩膜(mo)板(ban)在必要(yao)的部分(fen)真(zhen)空(kong)蒸鍍形成(cheng)電極。

　　電極怎么形成？

　　各種有機(ji)層成膜(mo)以后最(zui)后鍍上(shang)陰極，材料一般使(shi)用AI等金屬，制備工藝多種多樣(yang)。