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三星電子P3晶圓廠下月開始安裝設備,計劃下半年建成

編輯:chinafpt 2022-04-25 16:01:19 瀏覽(lan):7159  來源:

  據國外媒體報(bao)道,三星(xing)電(dian)子(zi)2020年開始在(zai)韓國平(ping)澤市建設(she)的P3晶(jing)圓(yuan)廠,將在(zai)下月(yue)開始設(she)備的安裝,計劃在(zai)今年下半年建成。

  三星平澤P3晶圓(yuan)廠(chang)下月(yue)開始設備的(de)(de)安裝,是韓國媒體率先援引消息人士的(de)(de)透露報(bao)道的(de)(de),設備的(de)(de)進入及(ji)安裝將持續到7月(yue)份,較(jiao)最初(chu)計劃(hua)的(de)(de)時間將提前1個(ge)月(yue)。

  三星(xing)電子在平澤(ze)建(jian)設的(de)P3工廠,占地70萬平方米(mi),將(jiang)成(cheng)為全球園區最大的(de)晶(jing)圓廠,是三星(xing)電子P2工廠的(de)1.7倍。當然,工廠的(de)投資也(ye)會相當龐大,他們計劃未來幾年(nian)最少投資30萬億(yi)元(yuan)(yuan),最多則投資50萬億(yi)韓(han)元(yuan)(yuan),也(ye)就是至少投資240億(yi)美(mei)元(yuan)(yuan),最高投資400億(yi)美(mei)元(yuan)(yuan)。

  從外媒的(de)報道來(lai)看,三星電(dian)子平澤(ze)P3晶圓(yuan)廠,規劃(hua)的(de)是(shi)一座既生(sheng)產存儲芯(xin)(xin)片(pian),又(you)生(sheng)產邏(luo)輯(ji)芯(xin)(xin)片(pian)的(de)工廠,率(lv)先投產的(de)是(shi)NAND閃存,隨后是(shi)DRAM,隨后是(shi)采(cai)用3nm工藝(yi)為其(qi)他廠商代工晶圓(yuan)的(de)生(sheng)產線。

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