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　　工藝流程

　　單面黃光制程

生產設備

檢測

電容式觸摸屏工藝流程

電容式觸摸屏生產原理

　　互電容(rong)屏是在玻璃表面用ITO制作橫向電極(ji)與縱向電極(ji)，兩組(zu)電極(ji)交叉的地方將會形成(cheng)電容(rong)即是在這兩組(zu)電極(ji)分別構成(cheng)了電容(rong)的兩極(ji)。

　　當手指(zhi)觸摸到電(dian)容(rong)(rong)屏時，影響了觸摸點(dian)附近(jin)兩(liang)個(ge)電(dian)極之間的(de)耦合，從(cong)而改變了這兩(liang)個(ge)電(dian)極之間的(de)電(dian)容(rong)(rong)量。

　　檢測互電(dian)容(rong)大小時，橫向的(de)電(dian)極(ji)依次發出激(ji)勵信號，縱向的(de)所有電(dian)極(ji)同時接收信號，這樣可以得到所有橫向和(he)縱向電(dian)極(ji)交(jiao)匯點的(de)電(dian)容(rong)值大小，即整個觸摸屏的(de)二維平面(mian)的(de)電(dian)容(rong)大小。

　　根據觸(chu)(chu)(chu)摸(mo)屏二維電容變(bian)化量數據，可(ke)以計算每(mei)一個(ge)觸(chu)(chu)(chu)摸(mo)點的(de)坐(zuo)標。因此，屏上即使有多個(ge)觸(chu)(chu)(chu)摸(mo)點，也能計算出每(mei)個(ge)觸(chu)(chu)(chu)摸(mo)點的(de)真實坐(zuo)標

　　Sensor工藝流程

　　Sensor生產原理： Sensor是(shi)(shi)在玻璃(li)表面用ITO(一(yi)種透明(ming)的(de)導電材料(liao))制(zhi)作成橫向(xiang)與縱向(xiang)電極陣列，起感(gan)應作用，是(shi)(shi)電容(rong)式觸摸屏(ping)最(zui)重要的(de)部件(jian)之一(yi)。

　　高透(tou)ITO導電玻璃工藝流程

　　高透ITO導電(dian)玻璃(li)是(shi)在AR減反射(she)(she)膜的基礎上(shang)增鍍(du)ITO導電(dian)膜，有效降低光(guang)的反射(she)(she)率及提高TFT圖像的對(dui)比度和清晰度。

　　金屬鉬鋁鉬工藝流程

　　鉬(mu)鋁鉬(mu)金屬膜目前廣泛(fan)應用(yong)于電容式觸摸屏模(mo)組材料主要作為ITO線路導線用(yong)途，具有阻值低、膨脹系數低、抗氧化強，能(neng)有效提(ti)高電容屏的穩定性、反應速度及(ji)耐候性。

　　蝕刻工藝流程

　　將涂有光(guang)刻(ke)膠的鍍膜玻璃進行曝光(guang)、顯影處理(li),然后通(tong)過溶液實(shi)現腐(fu)蝕處理(li)掉所需除去的部分(fen)（ITO或金屬）、用(yong)離子(zi)反應或其(qi)它機械方式來剝(bo)離、去除光(guang)刻(ke)膠材料的一種過程(cheng)。

　　AR減反射玻璃工藝流程

　　減(jian)反(fan)射玻璃(li)又(you)稱高透(tou)玻璃(li)，AR玻璃(li)是采用了光學(xue)薄膜(mo)干涉原理，通過(guo)真空磁控反(fan)應濺(jian)射先進工(gong)藝在玻璃(li)基板上鍍制一定膜(mo)系(xi)結(jie)構的納米光學(xue)多層膜(mo)，將玻璃(li)可見光透(tou)過(guo)率由(you)91%提(ti)高到98%以上。

　　反(fan)射率(lv)由(you)普通玻璃(li)的(de)8%降(jiang)至2%以下（最低可達0.2%）、有效地(di)提高穿透力及(ji)削弱因背后強光導致(zhi)畫(hua)面變白至缺陷，享受更(geng)清晰(xi)的(de)影像品質。

　　Cover lens藝流程

　　視窗(chuang)玻璃(li)將玻璃(li)經(jing)過切割、磨(mo)邊、仿形、鉆孔、銑槽、研磨(mo)、絲印、強化等加工(gong)成型(xing)后安裝(zhuang)在顯示器件表面(mian)的保(bao)護玻璃(li)。