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　　本(ben)文將(jiang)針對TFT LCD的(de)整體系統(tong)面，也就是(shi)對其驅動(dong)原理來做介紹，而其驅動(dong)原理仍然(ran)因為一些(xie)架構(gou)上差(cha)異的(de)關系而有所不(bu)(bu)(bu)同。首先將(jiang)介紹由于Cs (storage capacitor) 儲存電容架構(gou)不(bu)(bu)(bu)同，所形成不(bu)(bu)(bu)同驅動(dong)系統(tong)架構(gou)的(de)原理。

　　Cs (storage capacitor) 儲存電容的架構

　　一(yi)(yi)(yi)般(ban)最(zui)常見的(de)(de)儲存電(dian)(dian)(dian)容(rong)架構有兩種，分別(bie)(bie)是(shi)Cs on gate與(yu)Cs on common這兩種。顧名思義(yi)，兩者的(de)(de)主要差別(bie)(bie)在(zai)于儲存電(dian)(dian)(dian)容(rong)是(shi)利(li)(li)用(yong)gate走(zou)線或是(shi)common走(zou)線來(lai)完成(cheng)。在(zai)上一(yi)(yi)(yi)期文章中曾提(ti)到，儲存電(dian)(dian)(dian)容(rong)主要是(shi)為了(le)讓充好電(dian)(dian)(dian)的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)壓能保持(chi)到下一(yi)(yi)(yi)次更新畫面的(de)(de)時候之用(yong)，所以(yi)必須(xu)像在(zai)CMOS的(de)(de)制程之中，利(li)(li)用(yong)不同(tong)層的(de)(de)走(zou)線來(lai)形成(cheng)平(ping)行板電(dian)(dian)(dian)容(rong)。而在(zai)TFT LCD的(de)(de)制程中，則是(shi)利(li)(li)用(yong)顯(xian)示電(dian)(dian)(dian)極(ji)與(yu)gate走(zou)線或common走(zou)線所形成(cheng)的(de)(de)平(ping)行板電(dian)(dian)(dian)容(rong)，來(lai)制作出儲存電(dian)(dian)(dian)容(rong)Cs。

　　圖1就是這兩種(zhong)儲存(cun)電(dian)容架構(gou)，圖中(zhong)可以(yi)(yi)很明顯(xian)地知道，Cs on gate由(you)于不必像Cs on common需要(yao)增加一(yi)(yi)條額外的(de)(de)common走線，所(suo)以(yi)(yi)其開口率(lv)(lv)(Aperture ratio)比較大。而開口率(lv)(lv)的(de)(de)大小是影響面板的(de)(de)亮度與設(she)計的(de)(de)重要(yao)因素，所(suo)以(yi)(yi)現今面板的(de)(de)設(she)計大多(duo)使用Cs on gate的(de)(de)方式。但是由(you)于Cs on gate方式的(de)(de)儲存(cun)電(dian)容是由(you)下一(yi)(yi)條的(de)(de)gate走線與顯(xian)示電(dian)極之間形成的(de)(de)(請(qing)見圖2中(zhong)Cs on gate與Cs on common的(de)(de)等效電(dian)路)，

　　而(er)gate走(zou)線(xian)(xian)就(jiu)是(shi)接到每一(yi)(yi)(yi)個(ge)TFT的(de)(de)gate端的(de)(de)走(zou)線(xian)(xian)，主要是(shi)作為gate driver送出信號來(lai)打開TFT，好讓(rang)TFT對顯(xian)示電(dian)極作充放(fang)電(dian)的(de)(de)動作。所(suo)以(yi)當下(xia)一(yi)(yi)(yi)條(tiao)gate走(zou)線(xian)(xian)送出電(dian)壓(ya)要打開下(xia)一(yi)(yi)(yi)個(ge)TFT時，便會(hui)(hui)影響到儲存電(dian)容上儲存電(dian)壓(ya)的(de)(de)大小。不(bu)過由于(yu)下(xia)一(yi)(yi)(yi)條(tiao)gate走(zou)線(xian)(xian)打開到關閉的(de)(de)時間(jian)很短(以(yi)1024 x 768分辨(bian)率，60Hz更新頻率的(de)(de)面(mian)板來(lai)說。一(yi)(yi)(yi)條(tiao)gate走(zou)線(xian)(xian)打開的(de)(de)時間(jian)約為20μs，而(er)顯(xian)示畫(hua)面(mian)更新的(de)(de)時間(jian)約為16ms，所(suo)以(yi)相較下(xia)影響有限)，所(suo)以(yi)當下(xia)一(yi)(yi)(yi)條(tiao)gate走(zou)線(xian)(xian)關閉，回復(fu)到原(yuan)先的(de)(de)電(dian)壓(ya)，則Cs儲存電(dian)容的(de)(de)電(dian)壓(ya)，也會(hui)(hui)隨之(zhi)恢復(fu)到正常。這也是(shi)為什(shen)么大多數的(de)(de)儲存電(dian)容設計(ji)都(dou)是(shi)采用(yong)Cs on gate的(de)(de)方式的(de)(de)原(yuan)因。