據香(xiang)港(gang)科(ke)(ke)(ke)技大(da)學（以(yi)下簡稱科(ke)(ke)(ke)大(da)）官網消(xiao)息，香(xiang)港(gang)科(ke)(ke)(ke)技大(da)學工學院研(yan)究(jiu)團隊(dui)突破顯示技術瓶頸(jing)，成功研(yan)發出全(quan)球最光亮、最節能(neng)的(de)(de)(de)量子(zi)棒(bang)發光二極體（QRLED）。這款(kuan)新(xin)世代(dai)QRLED，在色域三角形(xing)頂端的(de)(de)(de)深綠(lv)區域展現出高亮度(du)綠(lv)光，呈現前所未有(you)的(de)(de)(de)色彩精準度(du)及(ji)色域范圍，更比(bi)以(yi)往型號的(de)(de)(de)亮度(du)提升3倍及(ji)更長(chang)壽命，能(neng)為智(zhi)能(neng)手(shou)機、電(dian)視(shi)及(ji)擴增實境(jing)設備(bei)（AR/VR）帶來更節能(neng)及(ji)栩栩如生的(de)(de)(de)視(shi)覺(jue)體驗。
團隊研(yan)發出高效、高亮度(du)(du)的綠(lv)色發光QRLED，亮度(du)(du)較舊型號QRLED提升(sheng)3倍，達到了創(chuang)紀錄的峰值亮度(du)(du)水平。
發(fa)(fa)光(guang)二(er)極(ji)體（LED）在(zai)(zai)過(guo)去(qu)數十年(nian)已廣泛應用(yong)于(yu)電(dian)(dian)子(zi)產品。隨(sui)著量(liang)子(zi)材(cai)料技術(shu)日新月異，量(liang)子(zi)點發(fa)(fa)光(guang)二(er)極(ji)體（QLED）與(yu)量(liang)子(zi)棒(bang)發(fa)(fa)光(guang)二(er)極(ji)體（QRLED）亦急速發(fa)(fa)展。與(yu)傳統(tong)LED相比(bi)，它們發(fa)(fa)射(she)頻寬較窄，能釋放出更(geng)高純度色彩，而(er)其中QRLED具有(you)較高的光(guang)取出效(xiao)(xiao)率(lv)(lv)。然而(er)，QRLED發(fa)(fa)展仍存(cun)在(zai)(zai)諸多(duo)限制，例如(ru)是(shi)在(zai)(zai)綠色發(fa)(fa)光(guang)效(xiao)(xiao)能不及QLED，這是(shi)受制于(yu)電(dian)(dian)荷注入效(xiao)(xiao)率(lv)(lv)低，以及界面處電(dian)(dian)子(zi)泄漏，再加上在(zai)(zai)納(na)米(mi)晶體上有(you)厚實的絕(jue)緣殼層與(yu)長鏈有(you)機配體（附著在(zai)(zai)納(na)米(mi)棒(bang)表面的分子(zi)）等結構性(xing)障(zhang)礙(ai)，阻礙(ai)電(dian)(dian)荷傳輸及穩(wen)定性(xing)。
為了解(jie)決這些問題，由科大電子(zi)及計(ji)算機(ji)工程學系副教授Abhishek K. SRIVASTAVA領導的(de)研究團隊(dui)，開發出一款(kuan)創新的(de)綠(lv)色(se)發光(guang)量子(zi)棒(bang)，其特點是采用特制(zhi)的(de)核—梯度(du)合(he)金(jin)結構，大大削薄納米晶體上的(de)絕緣殼層，此設(she)計(ji)有助(zhu)在最亮(liang)的(de)綠(lv)光(guang)波長（515 - 525 納米）也能呈現色(se)彩三角形(xing)中的(de)深(shen)綠(lv)區域，將(jiang)顯示(shi)色(se)域擴(kuo)展至(zhi)極(ji)致(zhi)。團隊(dui)設(she)計(ji)出均勻、光(guang)滑、較短(duan)的(de)量子(zi)棒(bang)形(xing)狀，使其薄膜外殼能減少空隙緊(jin)密地排列。團隊(dui)還設(she)計(ji)了更短(duan)的(de)有機(ji)配體及雙層空穴傳輸(shu)層，改善了電荷平衡(heng)并抑制(zhi)電子(zi)泄(xie)漏，大幅(fu)提(ti)高元件效率與穩(wen)定(ding)性。
作(zuo)為論(lun)文的通訊作(zuo)者(zhe)，Srivastava教授(shou)解釋道：「在(zai)這項(xiang)研究中，我(wo)們(men)精確(que)地設計(ji)量子棒的成(cheng)分、形(xing)態、形(xing)狀和配體結構，并重(zhong)組器件(jian)的空穴傳輸層，最(zui)終成(cheng)功開發出高(gao)效(xiao)率、高(gao)亮(liang)度的綠色發光QRLED。」
此項創新發明在以下各(ge)方面(mian)均表現卓越：
電力轉(zhuan)換(huan)效(xiao)(xiao)率(lv)創新高(gao)：大幅提升電力轉(zhuan)換(huan)為光能的效(xiao)(xiao)率(lv)，其外量子效(xiao)(xiao)率(lv)（EQE）達到24%，較舊有型號的22%提升。
電流(liu)效率超(chao)(chao)越前代(dai)：產(chan)生89 cd A?¹（坎(kan)德拉/安(an)培）的(de)電流(liu)效率，即衡量每安(an)培電流(liu)通(tong)過器(qi)件時所(suo)產(chan)生的(de)亮度，超(chao)(chao)越目前市面上所(suo)有QRLED產(chan)品，能源效益(yi)表現卓越。
超(chao)高亮度(du)輸出：亮度(du)較舊(jiu)型綠光LED提升(sheng)3倍，峰值(zhi)亮度(du)更突(tu)破500,000 cd m?²，呈現更為明亮鮮艷的視(shi)覺效果。
壽(shou)命大(da)幅延長(chang)(chang)：使用壽(shou)命長(chang)(chang)達(da) 22,000 小時以(yi)上，相較于過往 QRLED 產品耐用度更勝以(yi)往。
具有梯度(du)殼(ke)層、均勻(yun)形(xing)狀(zhuang)和縮短配體的(de)(de)綠(lv)色發(fa)光(guang)CdSe/Zn?Cd???S量(liang)子棒(bang)實現了(le)高光(guang)致(zhi)發(fa)光(guang)量(liang)子產率(lv)（PLQY），并達(da)到高效的(de)(de)電荷注入(ru)。再配合雙層空(kong)穴傳(chuan)輸層結構后，它(ta)成功地抑制(zhi)了(le)電子泄漏，并增強空(kong)穴注入(ru)。由(you)此所得的(de)(de)QRLED創下24%的(de)(de)EQE、>500,000 cd/m²的(de)(de)亮(liang)度(du)，以(yi)及>22,000小時的(de)(de)T??壽(shou)命，有助推動(dong)高性能顯示技術的(de)(de)發(fa)展。
Abhishek K. SRIVASTAVA教授（前排中間(jian)）、Maksym PRODANOV博士（前排右(you)二）和Kumar MALLEM（前排左二）與其(qi)研究團隊成員合影。Prodan博士手(shou)持(chi)的(de)三個瓶子內，載有量子棒材料。Mallem則手(shou)持(chi)綠(lv)色(se)發光(guang)QRLED樣本。
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